日本半導體公司Rapidus與比利時微電子研究中心，簽署技術合作備忘錄

（示意圖/取自pixabay）

根據《共同社》報導，12月6日，日本力爭實現下一代半導體國產化的新公司Rapidus，與比利時微電子研究中心（IMEC）簽署了技術合作備忘錄。

Rapidus的目標是從2027年起製造2奈米半導體，而比利時微電子研究中心在關鍵的EUV光刻技術等方面具備優勢，Rapidus計劃向其派遣員工等。

比利時微電子研究中心還設想，與日本政府近期將設立的下一代半導體研發基地「技術研究組合最尖端半導體技術中心」（LSTC）合作。

在東京舉行的簽字儀式結束後，Rapidus社長小池淳義表示：「（開發與製造）僅憑本國做不到，共同研究尖端技術對日本的半導體產業而言有著非常大的意義。」

Rapidus於今年8月成立，豐田、SONY、軟銀、Kioxia、日本電裝、日本電氣、日本電信電話出資10億日元，三菱UFJ銀行出資3億日元。

今年11月，日本政府宣佈向Rapidus提供700億日元資金。