三星電子將於6月30日,開始量產3奈米晶片
品玩 / 何渝婷編譯
2022-06-29 12:00

(取自Samsung臉書粉專)

根據《BusinessKorea》報導,三星電子將於6月30日開始批量生產基於閘極全環電晶體(Gate-All-Around,GAA)技術的3奈米半導體。

報導稱,三星電子將於6月30日正式宣布大規模生產基於GAA的3奈米半導體,GAA電晶體結構優於目前的FinFET結構,因為它可以減少晶片尺寸和功耗。

如果消息屬實的話,那麼三星電子將搶先台積電和英特爾量產3奈米晶片,後兩家公司分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規模生產3奈米晶片。

據瞭解,在競爭激烈的3nm製程工藝方面,三星電子和台積電的技術路線並不相同,三星電子率先採用閘極全環電晶體,台積電則是繼續採用鰭式場效應電晶體(FinFET)架構。

三星電子此前曾表示,採用閘極全環電晶體技術的3nm製程工藝,與當前的鰭式場效應晶體管架構相比,性能將提升30%,能耗降低50%,邏輯面積效率提升超過45%。

本文為品玩授權刊登,原文標題為「消息稱三星電子將於6月30日開始量產3納米芯片